Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDZ3N513ZT

MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-UFBGA
Seri / Aile Numarası
FDZ3N513Z

FDZ3N513ZT Hakkında

FDZ3N513ZT, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 1.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 462mOhm on-resistance ile karakterize edilmiştir. Schottky body diyodu içeren bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 4-WLCSP (0.96x0.96mm) ultra kompakt paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 125°C arasında çalışabilir ve maksimum 1W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Mobil cihazlar, IoT uygulamaları ve kompakt güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Bileşen obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.2V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 85 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case 4-UFBGA, WLCSP
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 462mOhm @ 300mA, 4.5V
Supplier Device Package 4-WLCSP (0.96x0.96)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +5.5V, -0.3V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok