Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDZ3N513ZT
MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDZ3N513Z
FDZ3N513ZT Hakkında
FDZ3N513ZT, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 462mΩ (@ 300mA, 4.5V) on-resistance değerine sahip bu komponenti düşük güç uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanabilirsiniz. Yüksek hızlı anahtarlama özelliği sayesinde SMPS, DC-DC konvertörleri ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. 4-WLCSP ultra-kompakt paket içinde sunulan bileşen -55°C ile +125°C arasında çalışır ve maksimum 1W güç tüketimi sağlar. Schottky diod yalıtımı ile ekstra koruma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 85 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, WLCSP |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 462mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-WLCSP (1x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5.5V, -300mV |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok