Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDZ299P

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
9-WFBGA
Seri / Aile Numarası
FDZ299P

FDZ299P Hakkında

FDZ299P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 55mΩ (4.5V, 4.6A şartlarında) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 9-WFBGA (2x2.1mm) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama regülatörleri ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 1.7W maksimum güç dağılımı ile tasarlanmıştır. Parça obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 742 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 9-WFBGA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Supplier Device Package 9-BGA (2x2.1)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok