Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDZ299P
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 9-WFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDZ299P
FDZ299P Hakkında
FDZ299P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 4.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 55mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 9-WFBGA (2x2.1mm) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge değeri 9nC ve input capacitance 742pF (10V'ta) olan FDZ299P, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve portable elektronik cihazlarda kullanılır. Maksimum 1.7W güç tüketimi ile verimli tasarımlar gerçekleştirmeye olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 742 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 9-WFBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 9-BGA (2x2.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok