Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDZ294N

MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA

Paket/Kılıf
9-VFBGA
Seri / Aile Numarası
FDZ294N

FDZ294N Hakkında

FDZ294N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 6A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile küçük güç uygulamalarında kullanılır. 23mΩ RDS(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. 9-VFBGA (1.5x1.6mm) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ~ 150°C geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Hızlı açılma/kapanma karakteristiği ve düşük gate charge (10nC @ 4.5V) ile verimli anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 9-VFBGA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package 9-BGA (1.5x1.6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok