Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDZ293P

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
9-VFBGA
Seri / Aile Numarası
FDZ293P

FDZ293P Hakkında

FDZ293P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 46mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybında çalışır. 9-VFBGA (1.5x1.6mm) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve batarya koruması sistemlerinde kullanılır. 1.7W maksimum güç tüketimine sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleriyle mobil cihazlar, IoT uygulamaları ve taşınabilir elektronik cihazlarda yaygın olarak tercih edilir. Part Status olarak Obsolete işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 754 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 9-VFBGA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Supplier Device Package 9-BGA (1.5x1.6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok