Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDZ291P
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 9-VFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDZ291P
FDZ291P Hakkında
FDZ291P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 40mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 9-VFBGA paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve güç dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.7W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir. Gating işlemleri için düşük gate charge (13nC) gerektirir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 9-VFBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 9-BGA (1.5x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok