Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDZ209N
MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 12-WFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDZ209N
FDZ209N Hakkında
FDZ209N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürüş geriliminde 80mOhm düşük on-direnci (Rds On) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. 12-WFBGA (2x2.5mm) yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 2W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 9nC olup hızlı komütasyon sağlar. Bileşen halen üretilmemekte (obsolete) olup stok kontrol edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 657 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-WFBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4A, 5V |
| Supplier Device Package | 12-BGA (2x2.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok