Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDZ193P

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-UFBGA
Seri / Aile Numarası
FDZ193P

FDZ193P Hakkında

FDZ193P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 6-WLCSP paket tipinde sunulmaktadır. 90mOhm (4.5V, 1A) On-direnç değeri ile röle kontrol, solenoid sürüşü, yük anahtarlaması ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve maksimum 1.9W güç tüketebilen bu transistör, 10nC gate charge ve 660pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Obsolete durumdaki bu bileşen, düşük sinyal seviyeleri ve kompakt PCB tasarımları gerektiren uygulamalarda tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFBGA, WLCSP
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WLCSP (1x1.5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok