Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDZ193P

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Paket/Kılıf
6-UFBGA
Seri / Aile Numarası
FDZ193P

FDZ193P Hakkında

FDZ193P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 90mΩ maksimum on-direnci (Rds On), 10nC gate charge ve 660pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface Mount 6-WLCSP paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, batarya yönetimi ve portable elektronik cihazlarda uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFBGA, WLCSP
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WLCSP (1x1.5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok