Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDZ191P_P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDZ191P
FDZ191P_P Hakkında
FDZ191P_P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3A sürekli akım yeteneği ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve doğrultma işlevleri gerçekleştirir. 6-WLCSP (1x1.5mm) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 85mOhm maksimum RDS(On) değeriyle verimli çalışma sağlar. Gate charge değeri 13nC olup hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, tüketici elektroniği, mobil cihazlar ve pil yönetimi uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün Discontinued (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, WLCSP |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WLCSP (1x1.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok