Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDZ191P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDZ191P
FDZ191P Hakkında
FDZ191P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 85mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlamayı sağlar. 6-WLCSP (1x1.5mm) kompakt yüzey montajlı paket içerisinde sunulur. Gate charge'ı 13nC ve input kapasitanı 800pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, batarya şarj kontrol devreleri, anahtarla kontrollü güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Part Status olarak Last Time Buy durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, WLCSP |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WLCSP (1x1.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok