Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDY301NZ_G

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SC-89
Seri / Aile Numarası
FDY301NZ

FDY301NZ_G Hakkında

FDY301NZ_G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 200mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SC-89 (SOT-490) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçış direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan FDY301NZ_G, küçük sinyal anahtarlama uygulamaları, lojik seviye kontrol devrelerinde ve düşük güç tüketimli sistemlerde kullanılır. ±12V gate voltajı toleransı ile geniş uygulamalar için uyumludur. Maksimum 625mW güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. Ürün şu anda üretim dışıdır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-89, SOT-490
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-89-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok