Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDY100PZ-G
MOSFET P-CH SC89
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDY100PZ
FDY100PZ-G Hakkında
FDY100PZ-G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SC-89 (SOT-490) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 350mA sürekli dren akımı ve 20V dren-kaynak gerilimi ile çalışır. 4.5V gate geriliminde 1.2Ω RDS(on) değerine sahip olup, 446mW maksimum güç tüketebilir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilmesi sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (1.4nC) ve input capacitance (100pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 446mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-523F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok