Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDW262P
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDW262P
FDW262P Hakkında
FDW262P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim, 4.5A sürekli drenaj akımı ile çalışabilmektedir. 8-TSSOP yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 47mΩ maksimum Rds(On) değeri sayesinde düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında işletim yapabilen FDW262P, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sinyal anahtarlaması gibi alanlarda kullanılır. Maksimum 1.8V gate drive voltajı ile kontrolü kolay olan bu MOSFET, 1.3W maksimum güç tüketimi karakteristiği ile düşük güç uygulamalarına uygundur. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1193 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok