Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDW258P

MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDW258P

FDW258P Hakkında

FDW258P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (11mOhm @ 9A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve analog switch uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan FDW258P, portable elektronik cihazlar, pil yönetim sistemleri ve düşük voltaj güç dönüştürme uygulamalarına uygundur. Maksimum 1.3W güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarım gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu ürün yaşamını tamamlamış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5049 pF @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok