Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDW258P
MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDW258P
FDW258P Hakkında
FDW258P, Rochester Electronics tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 11mOhm düşük on-dirençle (Rds On) karakterizedir. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 4.5V'de 73nC olup, input kapasitanı 5V'de 5049pF'dir. Maksimum 1.3W güç tüketimi ile güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerde ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5049 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok