Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDW252P
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDW252P
FDW252P Hakkında
FDW252P, Rochester Electronics tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 8.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 8-TSSOP yüzeye monte paketlemesinde sunulmaktadır. Düşük on-state direnci (Rds On) 12.5mΩ @ 8.8A, 4.5V seviyesinde ölçülmüştür. Maksimum güç dissipasyonu 1.3W'tır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle düşük voltaj güç yönetimi devrelerinde, ses amplifikatörlerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. ±12V maksimum gate-source gerilimi ile çalıştırılabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5045 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok