Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDV305N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDV305N

FDV305N Hakkında

FDV305N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET türü küçük sinyal alan-etkili transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük 220mΩ on-direnci ve 1.5nC kapı yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devre tasarımlarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, ±12V gate gerilimi sınırlaması ve 350mW maksimum güç dağılımı özellikleriyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 109 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok