Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDV304P_NB8U003

MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDV304P

FDV304P_NB8U003 Hakkında

FDV304P_NB8U003, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi, 460mA sürekli drain akımı ve 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama görevi görmektedir. SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 1.5nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Tüketici elektroniği, güç yönetimi, sensör arayüzleri ve düşük seviye anahtarlama devrelerinde kullanılır. Maksimum 350mW güç yayımlama kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 460mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 63 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok