Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDV303N-F169

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDV303N

FDV303N-F169 Hakkında

FDV303N-F169, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 680mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, sinyal anahtarlaması, lojik seviyelendirme ve düşük güçlü DC motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 350mW güç yayını özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 680mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok