Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDV303N
FDV303N Hakkında
FDV303N, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 680mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, düşük sinyal uygulamaları ve entegre devre sürücü uygulamalarında tercih edilir. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme yeteneği geniş sıcaklık aralığında kullanım imkanı sunar. Kompakt boyutu ve hafif güç tüketimi özelliği ile taşınabilir cihazlar ve IoT uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 680mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok