Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDV302P
FDV302P Hakkında
FDV302P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 120mA sürekli dren akımı ile çalışan bu komponent, SOT-23 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate geriliminde maksimum 10Ω on-direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDV302P, anahtarlama uygulamaları, küçük güç yönetimi devreleri ve sinyal kontrol devrelerinde kullanılır. 0.31nC gate charge ve 11pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon için uygun özellikleri gösterir. Maksimum 350mW güç tüketimi ile hafif yüklü uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok