Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDV302P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDV302P
FDV302P Hakkında
FDV302P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Small signal uygulamalar için tasarlanan bu bileşen, 25V maksimum Drain-Source gerilimi ve 120mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılabilir. Düşük gate charge değeri (0.31nC) hızlı anahtarlama özelliği sağlar. SOT-23 yüzey montajı paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve sinyal kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok