Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU8896_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU8896

FDU8896_NL Hakkında

FDU8896_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve DC-DC uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 5.7mΩ on-direnci ve 60nC gate charge özelliğiyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 80W güç yayabilir. ±20V gate gerilim toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 94A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok