Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU8882
MOSFET N-CH 30V 12.6A/55A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU8882
FDU8882 Hakkında
FDU8882, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim derecelendirilmesi ve 12.6A (Ta) / 55A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri görmektedir. TO-251-3 (IPAK) paketlemesi ile through-hole montajı destekler. 11.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüsü, LED aydınlatması ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.6A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok