Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU8880

MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU8880

FDU8880 Hakkında

FDU8880, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 13A (Ta) / 58A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 55W güç dağıtım kapasitesi, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok