Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU8878

MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU8878

FDU8878 Hakkında

FDU8878, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 11A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (15mOhm @ 10V) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 40W güç dağıtımına dayanıklıdır. Ürün, elektronik tasarımlarda güvenilir anahtarlama performansı sunan bir MOSFET çözümüdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok