Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU8870

MOSFET N-CH 30V 21A/160A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU8870

FDU8870 Hakkında

FDU8870, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı ile çalışır. TO-251-3 (IPAK) kasa tipinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi yapan yüksek hızlı açma/kapama işlemlerinde kullanılır. 3.9mOhm (10V, 35A) düşük on-direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +175°C arasında sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 160W güç dağıtabilir. Motor denetleyicileri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve hızlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5160 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok