Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU8780

MOSFET N-CH 25V 35A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU8780

FDU8780 Hakkında

FDU8780, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 35A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 29nC, gating işlemlerinde hızlı komütasyon karakteristiği sunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 50W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. (Ürün Obsolete statüsündedir)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 13 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok