Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU8778

MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU8778

FDU8778 Hakkında

FDU8778, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj derecesinde 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 14mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 18nC ile hızlı komütasyon özelliği sunmaktadır. Endüstriyel kontroller, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve benzer güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 845 pF @ 13 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok