Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU8770

MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU8770

FDU8770 Hakkında

FDU8770, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan FDU8770, endüstriyel kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yer bulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 115W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 13 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok