Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU8770
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU8770
FDU8770 Hakkında
FDU8770, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 35A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4mΩ (10V, 35A) üzerinden düşük RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge 73nC ve maksimum 115W güç tüketim kapasitesi ile güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde uygulanır. Vgs(th) 2.5V (250µA) olup ±20V Gate voltajı tolere edebilir. Bileşen günümüzde üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3720 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok