Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU8586
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU8586
FDU8586 Hakkında
FDU8586, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltaj derecesi ve 35A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-251 (I-PAK) kılıfında sunulan bu bileşen, düşük On-resistance değeri (5.5mΩ @ 10V) sayesinde güç elektronikleri uygulamalarında verimli çalışır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, maksimum 77W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge değeri (48nC) ile kontrol devreleri tarafından kolayca yönetilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok