Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU8586
MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU8586
FDU8586 Hakkında
FDU8586, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük kayıp karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 77W güç tüketim kapasitesi bulunmaktadır. Komponentin mevcut durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok