Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU7N60NZTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU7N60NZ
FDU7N60NZTU Hakkında
FDU7N60NZTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 5.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.25Ω maksimum On-Direnci (Rds) ile verimli güç iletimini sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, 90W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. ±25V gate gerilim aralığında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok