Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU6N50TU
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU6N50TU
FDU6N50TU Hakkında
FDU6N50TU, onsemi tarafından üretilen 500V yüksek voltaj N-channel MOSFET transistördür. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 6A sürekli dren akımı ve 900mOhm maksimum açık durumda direnç (RDS(on)) ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, 89W güç saçma kapasitesi sağlar. Gate charge 16.6 nC olup, 10V gate voltajında güvenilir anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel güç uygulamaları, motor kontrol devreleri, switched-mode power supplies (SMPS) ve high voltage switching uygulamalarında kullanılır. Bileşen Last Time Buy durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok