Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU6N50TU
MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU6N50TU
FDU6N50TU Hakkında
FDU6N50TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (I-PAK) kasa tipi ile PCB'ye dikey montajı mümkündür. 10V gate voltajında 900mOhm RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını sınırlandırır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel uygulamalara uygunluk sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok