Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU6696
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU6696
FDU6696 Hakkında
FDU6696, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) pakete montajlı bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolünde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve düşük gerilim uygulamalarında kullanılır. 8mΩ on-state direnci ve ±16V gate gerilimi desteği ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1715 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok