Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU6692
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU6692
FDU6692 Hakkında
FDU6692, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 54A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate geriliminde 12mOhm maksimum RDS(on) değeri ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2164 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok