Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU6682_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU6682

FDU6682_NL Hakkında

FDU6682_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 75A sürekli drain akımı ve 30V drain-source gerilimi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 6.2mΩ on-direnci (RDS on) ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 31nC olup, hızlı anahtarlama gereksinimi olan güç elektronikleri devreleri, motor kontrolörler, değiştirici (converter) ve PWM uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 1.6W güç tüketimi kapasitesi ile farklı güç seviyeleri için uyarlanabilir bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok