Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU6680A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU6680A
FDU6680A Hakkında
FDU6680A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan transistör, 9.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 60W maksimum güç tüketimi (Tc) ile yüksek güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1425 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok