Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU6680

MOSFET N-CH 30V 12A/46A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU6680

FDU6680 Hakkında

FDU6680, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı (Ta) / 46A (Tc) kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde gelen bu bileşen, düşük on-resistance (10mΩ @ 12A, 10V) sayesinde verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.5V-10V gate drive voltajı ile kontrol edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi alanlarda yer alır. Maksimum 56W (Tc) güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok