Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU6676AS

MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU6676A

FDU6676AS Hakkında

FDU6676AS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motorlar ve power supply tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 5.8mΩ maksimum on-state direnci düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2470 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok