Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU6612A
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU6612A
FDU6612A Hakkında
FDU6612A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücülerinde yaygın olarak uygulanır. 9.4nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok