Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU6512A

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU6512A

FDU6512A Hakkında

FDU6512A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 10.7A (Ta) / 36A (Tc) sürekli drenaj akımı özellikleri ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (21mOhm @ 10.7A, 4.5V) ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 43W güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari sistemlerde yer bulur. Komponentin durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1082 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok