Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU6030BL

MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU6030BL

FDU6030BL Hakkında

FDU6030BL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 10A sürekli drenaj akımına (Ta) ve 42A akımına (Tc) sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Maksimum 50W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. ±20V gate-source gerilimi toleransı ile geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir. Bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1143 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok