Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDU5N50NZTU

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FDU5N50NZ

FDU5N50NZTU Hakkında

FDU5N50NZTU, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. TO-251-3 (DPAK3) paketinde sunulan transistör, 1.5Ω maksimum drain-source direncine (Rds On) sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 62W güç dağıtımı gerçekleştirebilir. 10V sürüş gerilimi ile kontrol edilebilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketim ürünleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package DPAK3 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok