Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU3N40TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU3N40TU
FDU3N40TU Hakkında
FDU3N40TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilim ve 2A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 10V kapı geriliminde 3.4Ω maksimum RDS(on) değerine ve 30W maksimum güç tüketimine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. 6nC gate charge ve 225pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok