Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDU3580
MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDU3580
FDU3580 Hakkında
FDU3580, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajı ve 7.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, TO-251 (I-PAK) kapsülünde sunulmaktadır. 29mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate voltajında çalışma için optimize edilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Gate charge değeri 79nC olarak belirlenmiştir. Not: Bu ürün, üreticisi tarafından deprecated statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1760 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7.7A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok